|
Новосибирский государственный технический университет
ФАКУЛЬТЕТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ, ФИЗИКИ
Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
«Утверждаю»
Декан факультета РЭФ
Проф. Гридчин В.А.
___________________
«____»________2006г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА
по дисциплине
КОМПЬТЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И производстве микро- и наноэлектронных структур
По направлению 210600 «Нанотехнология»
Магистерская подготовка
Факультет радиотехники, электроники и физики.
Кафедра полупроводниковых приборов и микроэлектроники
Семестры 2,3
Лекции 20час.
Лабораторные работы 40час.
Самостоятельная работа 240час.
Зачёт – 2,3семестр.
.
Всего часов 300час.
Новосибирск
2006
1.Внешние требования
Дисциплина включена в учебный план подготовки магистров по направлению 210600.
Шифр дисциплины
|
Содержание учебной дисциплины
|
Часы
|
ДНМ.Ф.03
|
Исследование новых явлений, обусловленных проявлением волновых свойств электронов в твёрдотельных системах пониженной размерности; физических принципов создания новых быстродействующих приборов и устройств обработки информации
|
150
|
.
Требования государственного образовательного стандарта (ГОС) к уровню подготовки магистра по направлению 210600 «Нанотехнология»:
Квалификационные требования, обусловленные специализированной подготовкой магистра , включают:
Владение :
навыками самостоятельной научно-исследовательской и педагогической деятельности;
методами исследования , проектирования и конструирования объектов электронной техники;
методами и средствами компьютерного моделирования физических процессов и явлений в материалах , приборах и устройствах электроники4
Умение:
формулировать и решать задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности , и требующие углубленных профессиональных знаний;
обобщать и обрабатывать полученные результаты, анализировать и осмысливать их с учетом литературных данных;
использовать математический аппарат и численные методы , физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия приборов и устройств электроники и микроэлектроники.
2.Особенности построения программы курса и цели дисциплины
-
Особенность
(принцип)
|
Содержание
|
Основание для ведения курса
|
Дисциплина включена в учебный план подготовки магистров по направлению 210600
|
Адресат курса
|
Магистры по направлению 210600
|
Главная цель
|
Изучение закономерностей формирования тонкоплёночных наноструктур; особенностей изменения энергетического спектра электронов и процессов их взаимодействия при переходе к низко-размерным системам;.
|
Ядро курса
|
Использование современных технологий вычислительного эксперимента для анализа квантовых явлений в системах пониженной размерности, рассмотрения атомарных процессов на поверхности твердого тела, происходящих в процессе эпитаксиального роста, составления технологического маршрута и расчета электрофизических характеристик твердотельных приборов.
|
Требования к начальной подготовке, необходимые для успешного усвоения курса
|
Для успешного изучения курса магистранту необходимо знать высшую математику, квантовую механику, физику твёрдого тела, статистику и физику полупроводников, иметь элементарные навыки программирования и работы с персональным компьютером.
|
Уровень требований по сравнению с ГОС
|
Курс имеет практическую часть по моделированию квантовых структур, моделированию ростовых процессов на атомарном уровне, моделированию цифровых электрических схем
Закрепляются умения такие, как абстрагирование (при математической постановке задачи), классификация воздействующих факторов по степени важности (при формулировке математических моделей), оценка (результатов расчета), выбор рационального метода решения задачи, критическое отношение к достоверности полученных результатов.
|
Описание основных «точек»
|
Оценка знаний и умений магистрантов проводится с помощью зачёта в 2,3семестре, который включает вопросы по основным разделам курса
|
3.Цели учебной дисциплины
Номер
цели
|
Содержание цели
|
|
Магистрант будет иметь представление
|
1
|
о современных методах интерактивного численного исследования квантовых явлений, происходящих в природных и искусственных системах пониженной размерности,
|
2
|
о методах теоретической физики и вычислительной математики, используемых в физике тонкоплёночных твёрдотельных систем,
|
3
|
о новейших методах создания, экспериментального исследования твёрдотельных наноразмерных структур,
|
4
|
о современных методах описания сложных цифровых схем, реализуемых на СБИС,
|
5
|
о перспективных направлениях развития наноэлектроники.
|
|
Магистрант будет знать
|
6
|
терминологию дисциплины,
|
7
|
теоретические методы описания электронных процессов в твёрдотельных системах пониженной размерности,
|
8
|
физические свойства систем пониженной размерности,
|
9
|
Особенности электронных процессов в системах пониженной размерности.
|
10
|
методы расчёта основных параметров наноразмерных структур,
|
11
|
основные физические явления, используемые для создания приборов наноэлектроники.
|
|
Магистрант должен уметь
|
12
|
Применять основы квантовой механики и теории твёрдого тела для решения задач, связанных с описанием электронных процессов в системах пониженной размерности; при решении этих задач использовать аналогии с другими квантовыми объектами (атомами, атомными ядрами, молекулами и кристаллами),
|
13
|
выдвигать и проверять гипотезы, делать обоснованный выбор условий и параметров для исследования физических процессов в наноразмерных структурах,
|
14
|
использовать при моделировании реальных систем знания о методах структурного анализа, измерений электрофизических и оптических характеристик наноразмерных структур,
|
15
|
выбирать и использовать для расчёта параметров исследуемого объекта конкретные методы, сравнивать результаты расчёта, полученные различными методами, вычислять электрофизические и квантово-механические характеристики наноразмерных структур,
|
16
|
прогнозировать изменение свойств объектов при изменении внешних условий или воздействий,
|
17
|
понимать суть моделируемых эффектов на основе графического представления информации; представлять результаты решения задач, описание расчётно-графического задания в удобной форме.
|
4. Содержание и структура учебной дисциплины
Модуль 1
Роль компьютерных технологий в науке и образовании
|
Введение. Моделирование и вычислительный эксперимент как связующее звено между теорией и экспериментом, как новый метод образования и исследований. Системы общих моделей и интерактивное моделирование как средство интенсификации вычислительного эксперимента.
|
Модуль 2
Комплекс программ «QUANTUM» для интерактивного моделирования квантовых явлений в низкоразмерных системах.
|
Уравнение Шредингера, одночастичный энергетический спектр и волновые функции в системах с различным типом зависимости потенциала от одной пространственной переменной. Кусочно-постоянный потенциал, метод сшивки и сведение задач о дискретном и непрерывном спектре к решению задачи Коши.
|
Модуль 3
Электроны в системах пониженной размерности: квантовые гетероструктуры.
|
Квантование энергетического спектра и особенности движения носителей заряда при наличие потенциальных ям и барьеров. Квантовые эффекты в электрическом сопротивлении точечных и туннельных контактов.
|
Модуль 4
Сверхрешетки, одномерные кристаллы и длинные молекулы.
|
Зонный спектр, закон дисперсии, делокализация и локализация. Роль дефектов, электрического поля и димеризации. Примесные, поверхностные и ванье-штарковские состояния.
|
Модуль 5
Потенциалы сферической симметрии.
|
Моделирование малых металлических частиц, сферических квантовых точек, атомов, атомных ядер, колебательно-вращательных спектров двухатомных молекул, электронных спектров фуллереновых молекул и рассеяния электронов на примесных центрах.
|
Модуль 6
Современные методы проектирования и моделирования цифровых интегральных схем.
|
Место моделирования цифровых схем в науке и технике. Формальные языки описания цифровых моделей. Область их применения. Язык описания цифровых моделей VHDL. Его структура. Основные логические уровни в цифровых схемах. Базовые логические элементы современной цифровой электроники, их таблицы истинности. Пример модели синхронного четырех-разрядного счетчика. Понятие «test-bench». Временные диаграммы работы счетчика для некоторых заданных входных сигналов. Структурное и поведенческое описание цифровых моделей на языке VHDL. Поведенческое описание модели D-триггера и модели триггера-защелки. Синхронные и асинхронные цифровые схемы. Поведенческая модель синхронного счетчика. Структурная модель асинхронного счетчика. Особенности работы этих счетчиков, их преимущества и недостатки. Поведенческое описание таких модулей памяти, как ПЗУ и ОЗУ. Применение их моделей для тестирования других моделей. Подробный анализ работы модели параллельного и последовательного синхронного ПЗУ.
|
Модуль 7
Монте-Карло моделирование процессов эпитаксии
|
Метод Монте-Карло и имитационные модели поверхностных процессов. Структура программ для имитационного моделирования процессов эпитаксии.
Модель кристалла Косселя и её применение к исследованию поверхностных атомных процессов.
|
Модуль 8
Двумерное зарождение
|
Зарождение двумерных островков на начальной стадии МЛЭ роста. Теория Венейбла. Определение энергии активации поверхностной диффузии.
|
Модуль 9
Влияние особенностей диффузии на реальных поверхностях на рельеф растущего слоя
|
Влияние барьеров Швебеля и анизотропии поверхностной диффузии на морфологию растущего слоя.
|
Описание лекционных занятий размещается в табл. 4 с указанием семестра, в котором организуется обучение по данной дисциплине
Таблица 4
Ссылки
на цели
курса
|
Темы лекционных занятий
|
3,5,6
|
Компьютерные технологии – как одно из важнейших направлений науки и образования, развитие которых обусловлено последними достижениями вычислительной физики и математики, технологии полупроводниковой электроники. Состояние и перспективы. Содержание курса, его особенности и структура.
|
1,2,7
|
Одночастичное одномерное уравнение Шредингера, стационарные и нестационарные решения. Моделирование гетероструктур и плавных полей с помощью кусочно – постоянных потенциалов. Коэффициенты прохождения и отражения. Туннелирование частиц через потенциальный барьер (тонкий слой диэлектрика между металлами, слой полупроводника внутри более узкозонного). Квантовая яма. Связанные состояния, квантование энергии, нормировка волновой функции, осцилляционная теорема. Давление частицы на стенки ямы. Средняя потенциальная энергия частицы. Импульсное распределение и средняя кинетическая энергия.
|
1,2,6
|
Попарная группировка уровней в симметричной двойной яме и ковалентная связь в молекуле. Симметричные и антисимметричные, связывающие и антисвязывающие молекулярные орбитали. Аналогия импульсного распределения и дифракции на открытом конце пары связанных электронных волноводов. Временная эволюция суперпозиции пары состояний: периодические колебания профиля плотности вероятности. Асимметричная пара ям как модель ионной связи. Смена области локализации частицы с ростом номера уровня. Поляризация двойной ямы внешним электрическим полем (эффект Штарка).
|
1,3
|
«Зонный» спектр короткой сверхрешетки (СР) и линейной молекулы (потенциал нескольких одинаковых ям). Волновые функции. Зависимость спектра от расстояния между ямами. Импульсные распределения. Зависимость положения уровней внутри минизон от числа ям. Зонный спектр в одномерном периодическом поле. Квазиимпульс. Закон дисперсии. Средняя скорость. Эффективная масса. Волновые функции на краях и внутри разрешенных зон (стоячие и бегущие волны). Импульсное представление волновых функций, аналогия со случаем конечного числа ям.
|
6,7.8,9, 10
|
Резонансное туннелирование (РТ) и квазиуровни для барьерных структур. Зонный спектр квазиуровней для одинаковых равноотстоящих барьеров (сверхрешетка). Главные и побочные максимумы брэгговского отражения. Связь главных максимумов с запрещенными зонами в потенциале с бесконечным числом тех же ям. РТ и наложение квазиуровней в случае трехбарьерной структуры Иогансена (крайние барьеры в два раза уже центрального).
|
7,8,9, 10
|
Уровни в сферической яме. Центробежный и эффективный потенциал. Функции χ(r), R(r) при малых и больших расстояниях от центра. Порядок уровней в яме с резкой границей (модель металлической наночастицы). Кратность вырождения по проекциям момента. Магические числа для металлических наночастиц. Порядок уровней в кулоновском потенциале и в атомах. Экранирование электронами атомного ядра. Таблица Менделеева. Другие примеры центральных полей. Трехмерный осциллятор. Сферическая модель молекулы фуллерена. Спин-орбитальное расщепление уровней в атомных ядрах. Оболочечная модель атомного ядра. Магические ядра, распространенность химических элементов во вселенной.
|
11, 12, 13, 14, 15, 16, 17
|
Место моделирования цифровых схем в науке и технике. Формальные языки описания цифровых моделей. Область их применения.
Язык описания цифровых моделей VHDL Hardware Description Languages (HDL). Его структура. Основные логические уровни в цифровых схемах. Базовые логические элементы современной цифровой электроники, их таблицы истинности. Пример модели синхронного четырех разрядного счетчика. Понятие «test-bench». Временные диаграммы работы счетчика для некоторых заданных входных сигналов..
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Основной принцип работы моделей цифровых схем. Язык описания цифровых моделей VHDL как язык программирования. Типы данных, структура модели (программы), описания функций и процедур. Пакеты в языке VHDL.
Структурное и поведенческое описание цифровых моделей на языке VHDL. Поведенческое описание модели D-триггера и модели триггера-защелки.
Синхронные и асинхронные цифровые схемы. Поведенческая модель синхронного счетчика. Структурная модель асинхронного счетчика. Особенности работы этих счетчиков, их преимущества и недостатки.
Поведенческое описание таких модулей памяти, как ПЗУ и ОЗУ. Применение их моделей для тестирования других моделей. Подробный анализ работы модели параллельного и последовательного синхронного ПЗУ.
|
3, 11,
13, ,16, 17
|
Метод Монте-Карло и имитационные модели поверхностных процессов. Структура программ для имитационного моделирования процессов эпитаксии. Датчики случайных чисел. Вероятности элементарных событий. Имитация технологического процесса. Хранение и обработка результатов вычислений. Модель кристалла Косселя и её применение к исследованию поверхностных атомных процессов.
|
3, 11,
13, ,16, 17
|
Различные моды роста на сингулярной и вицинальной поверхностях в процессе МЛЭ. Оценка энергии активации поверхностной диффузии. Определение размера критического зародыша в зависимости от условий осаждения. Модель Венейбла.
|
3, 11,
13, ,16, 17
|
Влияние барьеров Швебеля на морфологию растущего слоя
|
3, 11,
13, ,16, 17
|
Влияние анизотропии поверхностной диффузии на процесс эпитаксии
|
|
|
Описание лабораторных работ размещается в таблице 5 с указанием семестра, в котором организуется обучение по дисциплине
Темы лабораторных работы
по моделированию квантовых структур, процессов молекулярно-лучевой эпитаксии и электрофизических характеристик ряда приборов
Таблица 5
Ссылки на цели курса
|
Темы
|
2,6,11
|
Волновая функция свободного движения электрона с заданной энергией. Реальная, мнимая часть волновой функции, фаза, плотность вероятности. Волновой пакет. Фазовая и групповая скорость. Столкновение пакета с бесконечной стенкой.
|
2,6,11
|
Падение частицы на резкую потенциальную ступень. Коэффициенты прохождения и отражения. Стационарные решения для энергий ниже, выше и равных высоте положительной ступени. Зависимость глубины проникновения в ступень и амплитуды модуляции плотности вероятности перед ступенью от энергии частицы.
|
1,2,16
|
Столкновение с плавной ступенью, аналогия с классической частицей. Туннелирование частиц через потенциальный барьер.
|
1,2,3,5,11
|
Частица в прямоугольной и осцилляторной яме: дискретный спектр. Модель дельта-функционной ямы. Симметричные и антисимметричные состояния. Зависимость скорости затухания волновой функции вне ямы от энергии уровня (хвосты волновой функции).
|
6,9,11,16
|
Импульсное распределение в прямоугольной яме, связь с формулой де Бройля и соотношением неопределенностей Гейзенберга. Действие внешнего электрического поля. Особенности плотности вероятности возле точек остановки.
Связь импульсного и координатных распределений в осцилляторе.
|
6,2,16,10
|
Динамика волнового пакета в осцилляторном потенциале (когерентные состояния) и в широкой прямоугольной потенциальной яме (аналогия с движением классической частицы, отражение от стенок, эволюция импульсного распределения, расплывание пакета. Столкновение волновых пакетов при смешивании отдельно четных и нечетных высоковозбужденных состояний.
|
1,2,5,6,11
|
Квантовый хаос, дробные и полные восстановления формы пакета.
|
1,2,5,6
|
Попарная группировка уровней в симметричной двойной яме. Зависимость расщепления от номера пары и от расстояния между ямами. Вытеснение уровня из дискретного спектра при сближении ям. Давление частицы на внутренние и внешние стенки ям в симметричных и в антисимметричных состояниях. Средняя потенциальная и средняя кинетическая энергия в этих состояниях. Временная эволюция суперпозиции пары состояний: смешивание соседних, четных и нечетных уроней.
|
5, 11,2,7
|
Асимметричная пара ям. Смена области локализации частицы с ростом номера уровня. Зависимость уровней и волновых функций от расстояния между ямами. Антипересечение уровней при уменьшении глубины первоначально более глубокой ямы и эффект делокализации электрона в асимметричном потенциале.
|
2,4,5,6,7
|
«Зонный» спектр короткой сверхрешётки. Зависимость спектра от расстояния между ямами. Зависимость положения энергетических уровней внутри минизон от числа ям. Импульсные распределения для краев зон и внутри зон. Волновой пакет из уровней минизоны.
|
2,5,7,8
|
Зонный спектр в одномерном периодическом поле. Квазиимпульс. Закон дисперсии. Волновая функция на краях и внутри разрешённых зон (стоячие и бегущие волны). Импульсное представление волновых функций, аналогия со случаем конечного числа ям. Моделирование перехода металл – диэлектрик.
|
1,2.5,7,9
|
Влияние примесной потенциальной ямы на спектр и волновые функции в сверхрешётке. Модель донора и акцептора в полупроводнике. Возникновение минизон в периодических потенциалах с дополнительной длиннопериодической модуляцией (сверхрешёткой).
|
1,2,3,11
|
Таммовский поверхностный уровень. Модель гетерограницы. Интерфейсные состояния. Сверхрешётка в электрическом поле. Штарковская лестница уровней. Локализация Ванье – Штарка. Зиннеровская резонансная делокализация.
|
1,2,7,9
|
Гетероструктурные (тонкоплёночные) квантовые интерферометры. Резонансы в непрерывном спектре: одномерное стационарное рассеяние. Пики в коэффициенте прохождения. Надбарьерное отражение, отражение частиц от потенциальной ямы в случае резких границ.
|
2,6,7,9
|
Резонансное туннелирование и квазиуровни для двухбарьерной структуры (туннельный резонансный диод). Интерференционный нанотранзистор на одномерной квантовой проволоке и квантовой точке в квазиодномерном канале.
|
5,2,4,7,9
|
Резонансное туннелирование и наложение квазиуровней в случае трёхбарьерной структуры Иогансена (крайние барьеры в два раза уже центрального). Уменьшение побочных максимумов брэгговского отражения в сверхрешетке Иогансена.
|
2,4,6,7,11
|
Удержание в сферическом квантовом боксе (электронов в малой металлической частице, нанокристалле – «сферической» квантовой точке, в потенциале примесного атома). Уравнение Шредингера в сферически – симметричном случае. Распределение электронов по координате и импульсу в металлической наночастице, связь с распределением Ферми. Магические числа для металических наночастиц.
|
2,12,13
14,15,16
|
Одноэлектроника. Условия применимости теории кулоновской блокады. Одноэлектронный диод (двойной туннельный переход, содержащий кулоновский остров). Основные параметры диода: ёмкости и сопротивления туннельных переходов, поляризационный заряд острова). Кулоновская лестница на вольтамперной характеристике. Одноэлектронный транзистор. Квантование заряда острова, кулоновские осцилляции тока.
|
3, 4, 5, 10, 12
|
Зависимость морфологии растущего слоя от параметров осаждения на сингулярной и вицинальной поверхностях. Исследование влияния температуры и скорости осаждения на тип растущей поверхности в процессе МЛЭ: нормальный рост, двумерно-слоевой рост и ступенчато-слоевой рост.
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Моделирование цифровых схем с помощью формальных языков описания. Структура языка VHDL. Модули. Библиотеки. Типы данных в языке VHDL. Поведенческая и структурная модели. Пакеты в языке VHDL. Понятие процесса в моделях на языке VHDL.
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Поведенческое описание модели D-триггера, триггера-защелки. Привести временные диаграммы работы этих триггеров.
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Синхронные и асинхронные цифровые схемы. Структурная модель асинхронного счетчика.
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Поведенческое описание модели синхронного счетчика. Привести временные диаграммы работы такого счетчика.
|
4, 6, 15, 16, 17
|
Поведенческое описание модулей памяти ПЗУ. Подробный анализ работы модели параллельного и последовательного синхронного ПЗУ.
|
|
Поведенческое описание модулей ОЗУ.
|
3, 4, 5, 10, 12
|
Определение энергии активации поверхностной диффузии, используя оценку длины миграции адатома. Оценка длины миграции атома: по плотности островков на гладкой поверхности; по ширине зоны обеднения на ступенчатой поверхности; по переходу от двумерно-слоевого роста к ступенчато-слоевому росту на ступенчатой поверхности.
Сравнение полученных значений длины миграции , определенной тремя способами. Вычисление энергии активации поверхностной диффузии Еd по зависимости длины миграции от скорости осаждения и коэффициента диффузии (D/V).
|
3, 4, 5, 10, 12
|
Исследование процесса двумерного зарождения и получение зависимости плотности ОЗР от условий роста и оценка размера критического зародыша. Визуально определить размер критического зародыша, наблюдая за последовательностью модельных поверхностей в процессе осаждения. Оценить размер критического зародыша как среднее значение между максимальным размером островков непосредственно перед зарождением ОЗР и минимальным размером ОЗР непосредственно после их зарождения.
Пронаблюдать процесс Освальдовского созревания (ОС) при условии активного обмена атомами.
Получить зависимость распределения островков по размерам при различной осажденной дозе для двух значений энергий связи. По положению минимума на этих зависимостях оценить размер критического зародыша. Сравнить полученное значение с оценкам РКЗ из прямых наблюдений. Построить зависимости РКЗ i* от параметра V/D в случае слабого и сильного обмена адатомами. Получить зависимость суммарной плотности островков закритического размера Nx от условий роста. Построить в двойном логарифмическом масштабе зависимость Nx(V/D).
Сравнить РКЗ, определенный из зависимости Nx(V/D) в соответствии с формулой Венейбла со значением i* определенным прямым путем. Дать объяснение полученному результату.
|
3, 4, 5, 10, 12
|
Исследование зависимости формы осцилляций шероховатости поверхности от морфологии растущего слоя и параметров осаждения.
Сравнить осцилляции шероховатости поверхности (аналог ДБЭ осцилляций) на гладкой и ступенчатой поверхностях, соответствующих условиям двумерно-слоевого роста.
Объяснить эффект появления биений на осцилляциях шероховатости поверхности (ОШП) при осаждении на поверхность со встречными ступенями.
Промоделировать эффект искажения осцилляций при смене условий осаждения: на ступенчатой поверхности.
|
|
Влияние барьеров Швебеля на морфологию растущего слоя. Сравнить осцилляции шероховатости поверхности и рельеф растущей поверхности при осаждении на исходно гладкую поверхность при различном межслоевом атомном обмене. Моделирование роста по механизму Странского-Крастанова.
|
|
Влияние анизотропии поверхностной диффузии на процесс эпитаксии
|
5. Учебная деятельность
В процессе изучения курса студенту предстоит:
-прослушать лекции;
-изучить с помощью учебно-методической литературы некоторые темы и разделы курса;
- -закрепить лекционный материал на лабораторных занятиях.
Лекции читаются по основополагающим, наиболее сложным разделам и темам. Курс обеспечен учебно-методической литературой, поэтому часть разделов выносится на самостоятельное изучение. На лабораторных занятиях решаются задачи по моделированию квантовых структур, процессов молекулярно-лучевой эпитаксии и электрофизических характеристик ряда приборов, цель занятий- закрепление лекционного материала.
6. Правила аттестации студентов по учебной дисциплине.
Оценка знаний и умений студентов по первой части курса проводится путем проведения зачета в 2 и3 семестре.
Ниже в таблице приведена рейтинговая система оценки работы магистранта по отдельным видам деятельности.
Вид деятельности
|
Максимальный рейтинг
|
Достаточный рейтинг
Для зачёта
|
Лабораторные работы
|
100
|
80
|
|
|
|
Теоретический опрос
|
50
|
30
|
Итого
|
150
|
110
|
Для получения зачёта необходимо набрать не менее 110 баллов.
7. Литература
Ландау Л.Д. и Лифшиц Е.М.« Квантовая механика (нерелятивистская теория)». М., 1989г.
Давыдов А.С. « Квантовая механика». М., 1973г.
Р.Фейнман, Р.Лейтон, М.Сэндс, Фейнмановские лекции по физике, т.8,9 квантовая механика. М., 1978г.
Компьютерный практикум по квантовой механике. Г.Л.Коткин, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, Методическое пособие. НГУ, 1996.
Лабораторные работы по квантовой механике. Вып.1. Алгоритмы и задачи. Г.Л.Коткин, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, НГУ, 1987
Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф.«Электронные свойства двумерных систем», изд. «Мир», М., 1990г.
К.Биндер, Методы Монте-Карло в статистической физике //М. Наука, 1982, 400c.
Л.Н.Александров, Монте-Карло моделирование процессов роста. //Новосибирск, Наука,1994, 156c.
К.Биндер, Д.В.Хеерман. Моделирование методом Монте-Карло в статистической физике. М.: Наука. Физматлит, 1995. – 144с. (Компьютеры в физике).
В.И.Трофимов, В.А.Осадченко, Рост и морфология тонких пленок. М.,Энергоатомиздат, 1993, 272с.
А.А.Чернов, Е.И.Гиваргизов, Х.С.Багдасаров, В.А.Кузнецов, Л.Н.Демьянец, А.Н.Лобачев // кн. Современная кристаллография, т.3.Образование кристаллов. стр.408 "Наука" М 1980
J.A.Venables, G.D.T.Spiller, M.Hanbucken. Nucleation and Growth of Thin Films.// Rep.Progr.Phys., 1984, Vol. 47, P. 399-459.
В.Фихтнер, Моделирование технологических процессов. Глава 10. Технология СБИС. / Под редакцией С.М.Зи – М. Мир, 1986 сс.112-182
С.М.Зи, Физика полупроводниковых приборов, М. Мир 1984 т.1 и 2
П.Ю, М.Кардона, Основы физики полупроводников, М, Физматлит, 2002
И.И.Абрамов, Моделирование элементов интегральных схем. Курс лекций. Белорусский Государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, БГУ, 1999
K.N.Kwok, Complete Guide to Semiconductor Devices, McGraw-Hill, 2002,
МОП - СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. /Под редакцией П.Антонетти, Д.Антониадиса, Р.Даттона, У.Оулдхема, М., Радио и связь, 1988, 407с.
Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Под ред. Д. Миллера. – М.: Радио и связь, 1991. – 237с.
П.Хоровиц, У.Хилл, Искусство схемотехники, М., Мир, 1998
Д.Ферри, Л.Эйкерс, Э.Гринич, Электроника ультрабольших интегральных схем, М. Мир, 1991. – 245с.
С.Г.Мулярчик, Численное моделирование микроэлектронных структур, Минск, Издательство Университетское, 1998, 368с.
Б.С.Польский, Численное моделирование полупроводниковых приборов, Рига: Зинатне, 1986, 168с
Peter J. Ashenden, The VHDL Cookbook, First Edition, Australia, 1990.
Digital Design VHDL, Laboratory Notes CERL/EE, October 16, 1996.
IEEE Standard VHDL Language Reference Manual. IEEE Std 1076, 2000 Edition
Рабочая программа составлена на основании Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования для подготовки магистров техники и технологии по направлению 2106100-«Нанотехнология» Стандарт утвержден 18/01/2006, регистрационный номер-734тех/маг.
Рабочая программа обсуждена и утверждена заседании кафедры ППиМЭ
От г. , протокол.
Программу разработал доц. Шварц Н.Л.,
н.с. Ткаченко В.А.,
н.с. Зверев А.В.
Зав. Кафедрой ППиМЭ проф. Гридчин В.А.
Ответственный за основную
образовательную программу Дикарева Р.П.
ст.пр. каф. ППиМЭ
|
