Новосибирский государственный технический университет утверждаю

Скачать 415.89 Kb.

Название	Новосибирский государственный технический университет утверждаю
страница	1/2
Тип	Основная образовательная программа

rykovodstvo.ru > Руководство эксплуатация > Основная образовательная программа

1 2

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе
__________________ Ю.А. Афанасьев

“_____”_______________ 2007 г.
КОНЦЕПТУАЛЬНАЯ ЗАПИСКА

ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

210100 – Электроника и микроэлектроника

Квалификация – бакалавр техники и технологии

Новосибирск 2006

1.Общая характеристика ООП
Основная образовательная программа (ООП) 210100 –Электроника и микроэлектроника разработана на основе Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования (ГОС ВПО) направления 210100 –Электроника и микроэлектроника, утвержденного 10.03.2000 № 21 тех/бак. и № 33 тех/дс от 10.03.2000. ООП включает в себя концептуальную записку, учебный план, программы учебных дисциплин, программы учебных, производственных практик, требования к итоговой аттестации: комплекс контролирующих материалов для аттестационных процедур, требования к выпускной квалификационной работе.

Основное направление ООП – подготовка специалистов, способных к выполнению проектных и научно-исследовательских работ. Как свидетельствует многолетняя практика, получаемое выпускниками образование достаточно и для организационно-управленческой, производственно-технологической и эксплуатационной работы с самыми разнообразными электронными устройствами.

Особенности настоящей ООП обусловлены спецификой предприятий региона, использующих выпускников НГТУ в качестве научных и инженерно-технических работников. Исследовательские и проектно-технологические разработки организаций и предприятий электронной, электротехнической и радиотехнической отраслей, а также институтов и КБ СО РАН связаны как с исследованием новых полупроводниковых материалов и приборов, созданием новых электронных компонентов.

1.1.В качестве существенных особенностей ООП следует отметить:

Высокий кадровый потенциал штатного состава кафедры, в составе которой … доктора технических наук, профессора.
Среди привлеченных к учебному процессу ученых и специалистов-практиков д.ф.-м.н.,профессор, член-корреспондент РАН И.Г.Неизвестный , д. ф.-м., вед. н.с. ИНХ СО РАН Л.Н. Мазалов, зав. Лаб. Микроэлектроники ФГУП «НПП ВОСТОК» М.А. Портнягин.
Реальные места проведения производственных и преддипломных практик: ИФП СО РАН , ФГУП «НПП ВОСТОК», ИНХ СО РАН, ОАО «Октава», каф. ПП и МЭ НГТУ.
Для практик и дипломирования в полной мере используется специализированная лабораторной и производственная база указанных выше предприятий и организаций.
Сотрудничество с предприятиями и организациями осуществляется на основе двусторонних соглашений:

ИФП СО РАН , договор от 1 09 06

ФГУП «НПП ВОСТОК» , договор от 10.10.06

ИНХ СО РАН, договор от 01.09.06

ОАО «Октава», договор от 03.03.05

ФГУП «НЗПП с ОКБ», договор от 10.10.06

Филиалы кафедры ПП и МЭ развернуты на

ИФП СО РАН

ФГУП «НПП ВОСТОК», приказ № 655 от 26.10.04

ИНХ СО РАН, приказ N 559 от 03.11.99

Ежегодно выполняются десятки бакалаврских и дипломных работ по реальной тематике предприятий, например:

Гладких Н.А” Проводимость пленок аморфного кремния на нетугоплавких подложках” .Рук .Яновицкая З.Ш., в.н.с.,д.ф.-м.н.ИФП СО РАН

Зинченко К.Ю.”Диффузия активных частиц в порах low-к диэлектрика(моделирование)”. Рук. Шварц Н.Л., к.ф.-м.н., с.н.с. ИФП СО РАН

Корчагина Таисия Тарасовна” Влияние радиационных дефектов на свойства светоизлучающих нанокристаллов кремния”.Рук. Качурин Г.А., д.ф.-м.н.,в.н.с. ИФП СО РАН

Михайло Б.И.” Перестройкаточечных радиаццццционных дефектов в нейтронно-легированном кремнии при термообработках”.Рук.Камаев Г.Н., к.ф.-м.н., в.н.с. ИФП СО РАН

Астанкова К.Н.” Наноструктурирование на основе соединений германия с применением сканирующей зондовой микроскопии”.Рук. Горохов Е.Б., к.ф.-м.н. , с.н.с. ИФП СО РАН

Дульянинова Е.А.”Аналитическая модель распределения упругой деформации в гетероструктурах с квантовыми точками”.Рук. Ненашев А.В.,к.ф.-м.н.,с.н.с.ю ИФП СО РАН

Красотин А.Ю.” Влияние винтовой дислокациооной составляющей на процесс снятия напряжений несоответствия в эпитаксиальных структурах Ge-Si , выращенных на вицинальных (001) подложках Si “ Рук.Колесников А.В.к.ф.-м..н.,с.н.с. ИФП СО РАН

. Мелконян Ю.А. “ Изучение жесткости гофрированных трехмерных структур на основе напряженных гетеропленок “.Рук. Принц А.В.,н.с. ИФП СО РАН

Венедиктов П.Ф.- «Разработка топологии источника опорного напряжения и схемы защиты кристалла, изготавливаемого по БиКМОП технологии».

Руководитель: Портнягин М.А., нач. лаб. ОМЭ НПП «Восток»

.Калугин И. В. –– « Разработка технологии посадки кристаллов с использованием установки ЭМ-4025». Руководитель: Янченко А.Г. ,ОКБ «Октава»

Киреев Д.В. «Автоматизация масс-спектрометрических измерений парциального давления остаточных газов при полевой эмиссии пленок модифицированных нанотруб». Руководитель: Окотруб А.В., д.ф-м.н., в.н.с. ИНХ СО РАН.

Доступ к ПК и Интернету предоставлен студентам во всех учебных лабораториях и в двух специализированных терминальных классах.
Использование информационных технологий в учебном процессе.

Учебные материалы в электронном виде предоставлены студентам на серверах терминальных классов и на сайте кафедры. Проекционно-демонстрационная система BENQ PB6110 применяется для презентаций на поточных лекциях в курсе Информатики, при проведении научных студенческих конференций и защите выпускных аттестационных работ бакалавров и инженеров.

Сведения по материально-техническому обеспечению учебного процесса представлены в табл. 15.1
Таблица 15.1

№ п/п	Наименование дисциплин в соответствии с учебным планом	Наименование специализированных аудиторий, кабинетов, лабораторий и пр. с перечнем основного оборудования
1	2	3
1	Материалы и элементы электронной техники	Лаборатория электрорадиоматериалов (4--118, 4-116): Установка для исследования электропроводности твердых диэлектриков Установка для исследования сегнетоэлектриков Установка для определения параметров диэлектриков έ и tgδ в зависимости от температуры и частоты приложенного поля Установка для определения зависимости tgδ от напряжения в сильных электрических полях Установка для исследования электрической прочности газообразных, жидких и твердых диэлектриков Установка для определения температурного коэффициента емкости конденсаторов
2	Стандартизация и сертификация	Лаборатория полупроводниковых приборов (4-122): 4 лабораторных стенда с промышленными измерительными установками по измерению: удельного сопротивления полупроводников; параметров мощных транзисторов; параметров полевых транзисторов; параметров интегральных микросхем.
3	Твердотельная электроника	Лаборатория электроники (4-115): Установка для исследования усилительных каскадов на биполярных транзисторах Установка для исследования усилительных каскадов на полевых транзисторах Установка для исследования схем стабилизации рабочей точки Установка для исследования элементов аналоговых ИС Установка для исследования схем стабилизаторов напряжения Установка для исследования схем на МДП-транзисторах Установка для исследования схемы аналогового перемножителя.
4	Квантовая и оптическая электроника	Лаборатория оптоэлектроники (4-120б): ИК-спектрометр ИКС-31; Монохроматор МДР-2;. Лабораторный стенд для измерения ватт-амперных характеристик ЛД и СД.
5	Микропроцессорные системы	Лаборатория электроники (4-115). Микротренажеры обучающие МТ-1804 – 17 шт.
6	Процессы микро- и нанотехнологии	Лаборатория технологии микроэлектроники (4-129): Электропечь диффузионная однозонная СДО-125/3-15,0. Электропечь диффузионная однозонная СДО-125/3-12,0. Электропечь диффузионная однозонная СДО-125/4а. Установка вакуумного напыления УВН-71Р-3. Установка микросварки проволочных выводов “Контакт-1а”. Установка ультразвуковой микросварки УЗС.М-2,5. Устройство для нанесения фоторезиста в скафандре ЦНФ–2 шт. Установка зондовая “Зонд-А-5”. Шкаф вытяжной 2Ш-НЖ – 2шт. Установка очистки и сушки пластин. Устройство для совмещения и экспонирования АМК 2104-16. Установка совмещения и экспонирования 830-03 – 2 шт. Лаборатория механической обработки (4-121): Установка резки пластин 04ПП100М. Станок резки слитков на пластины. Станок шлифовки пластин.
7	Математическое моделирование электронных систем.	Лаборатория проектирования интегральных схем (4-120) имеет 10 учебных мест на базе персональных компьютеров: Pentium-1000 МГц,128 Мб, 3.2 Гб, View Sonic GT-775;
8	Технология материалов электронной техники	Лаборатория электрорадиоматериалов к (4-118): Установка для исследования электрических свойств проводниковых материалов. Установка для построения диаграмм состояния бинарных систем методом термического анализа. Установка горизонтальной направленной кристаллизации.
9	Сенсорная электроника	Лаборатория сенсорной электроники (4-119): Лабораторная установка для исследования свойств тензодатчиков давления – 2 шт. Лабораторная установка для электростатической посадки кремния на стекло. Лабораторная установка для анизотропного травления.
10	Физика полупроводниковых приборов	Лаборатория полупроводниковых приборов (4-122): Модульный учебный комплекс МУК-ФОЭ1-6 шт. Состав: 1.Ампервольтметр АВ-1-09 – 12 шт. 2.Стенд с диодами СЗ-ЭЛ-01 – 6 шт. 3.Стенд с транзисторами СЗТТ – 02 - 6 шт. 4.Блок тиристор БЛ-2-01 6 шт.
11	Бытовая электроника	Лаборатория бытовой электроники (4-115). Генераторы: ГЗ-106, ГЗ-36, ГЗ-112, Ahritsu MG 311 B1. Осциллографы: С1-73 – 2 шт., ROHDE&SCHARZ 373.4015.52 Частотомер Ч3-33. Анализатор спектра СК4-56. ИНИ С6-11. Прибор для исследования АЧХ Ч1-40. Стенд для диагностики TV. Стенд для диагностики радиоприемников. Стенд для диагностики УНЧ. Стенд EIB.
12	Программирование	Лаборатория проектирования интегральных схем (4-121) 10 рабочих мест на базе персональных компьютеров: Pentium-166 МГц, 128 Мб, 3.2 Гб, View Sonic GT-775;
13	Проектирование заказных БИС	Лаборатория проектирования интегральных схем (4-120) 10 рабочих мест на базе персональных компьютеров: Pentium-1000 МГц, 128 Мб, 3.2 Гб, View Sonic GT-775;
14	Однокристальные ЭВМ	Лаборатория микропроцессорной техники ( 4-120) содержит 8 учебных мест в составе: Компьютер. Отладочный комплект фирмы NEC K_line-Taste it!-2.

Центр коллективного пользования(ЦКП)

На кафедре функционирует центр коллективного пользования по микро и нанотехнологии в 4-128

Основные результаты деятельности приведены в таблице

№	Вид деятельности	показатель	Выполнено	Объем
1	Отправлено заявок на изобретение	5	Получено 4 патента
2	Отправлено статей в печать.	15	Опубликовано и принято к печати 8
4	Сделано докладов на конференциях	2	АПЭП
5	Сделано докладов на конференциях	2 1	Кремний 2004 Кремний 2006
6	Заключено договоров КТИ СО РАН 62.000 руб	1	Выполнено на	36000 руб
	Выполнено программ (грантов)	1		150.000 руб.
7	Защитило дипл. и маг. работ	8
8.	Подготовлено диссертаций	1
9	Подготовлена и согласована программа работы со школами (ЦКП МНТ)	НГТУ-УОНО	Ежегодно читается 15-20 лекций	2-3 млн. руб.
10	Разработаны и изготовлены автоматизированные измерительные установки.	4	(ВАХ, C-V, Холл, система опроса и оцифровки)
11	Подготовлен проект передачи оборудования (Красноярск)		МЛЭ, «Завод микроника»
12	Выполнены работы по гранту (договор на модернизацию МЛЭ) с ИФП СО РАН
13	Имеется 2 аспиранта
14	Оформляются документы на обучение в докторантуре В.А. Илюшина с 02.2007

Более 50 бакалавров, инженеров и магистрантов прошли подготовку на базе ЦКП МНТ

Модульно-рейтинговая система оценки достижений обучающихся подробно излагается в конкретных рабочих программах, например: «Информатика», «Математическое моделирование электронных систем», «Методы математической физики».. Выставление результирующего числа баллов. Применение нижнего порога этого числа для незачета и недопуска к экзамену. Применение верхнего порога для автоматического зачета. Использование пороговых чисел баллов для получения дифференцированной экзаменационной оценки

1 2

	Основа вежливости в английской лингвокультуре: джентльменство (gentlemanliness)... «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» (новосибирский государственный университет, нгу)		Новосибирский государственный технический университет Iii инновационный проект «экопоселение»: анализ эффективности и особенности финансовой реализации 76
	Новосибирский государственный технический университет Сборник лабораторных работ для студентов фла направления 280200 – «Защита окружающей среды»		Российской Федерации Новосибирский государственный технический университет... Основные характеристики некоторых существующих cad/cam систем
	Новосибирский государственный технический университет Товароведение... История стиральных машин		Ульяновский государственный технический университет Положением о закупке товаров, работ, услуг федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования...
	Федеральное агентство по образованию новосибирский государственный... Лабораторная работа № Мировые библиотеки. Работа в электронных каталогах библиотек 14		Российской Федерации Новосибирский государственный педагогический... Печатается по решению кафедры анатомии, физиологии и валеологии Новосибирского государственного педагогического университета и Западно-Сибирского...
	Извещение о проведении открытого аукциона в электронной форме №109аэ-17... Заказчик Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский государственный технический...		Луганский государственный медицинский университет белорусский государственный... А. А. Никоноров – доктор медицинских наук, профессор, заведующий кафедрой биологической химии
	Инструкция о порядке проведения в фгбоу во «Уфимский государственный... Фгбоу во «Уфимский государственный авиационный технический университет» экспертизы материалов		Красноярский государственный технический университет сибирский государственный... Методы нейроинформатики / Под ред. А. Н. Горбаня; отв за выпуск М. Г. Доррер. Кгту, Красноярск, 1998. 205 с
	Новосибирский государственный технический университет Знакомство с интерфейсом приложения Microsoft Access® (далее – просто Access), его основные сходства и отличия от приложения Microsoft...		Новосибирский государственный технический университет novosibirsk... О. В. Дербилова, Л. Б. Кистюнина, А. Я. Мыскина, Н. А. Пусеп, Н. М. Русакова, Г. М. Ситишева, Е. А. Старцева, Н. В. Столбунова, Т....
	Новосибирский государственный технический университет novosibirsk... А. Старцева, Н. В. Столбунова, Т. А. Фрик; науч ред.: В. Н. Удотова, В. Н. Васюков; отв ред.: Т. В. Баздырева, Л. Б. Кистюнина; Новосиб...		Извещение Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»

Новосибирский государственный технический университет утверждаю

Твердотельная электроника

Похожие: