Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014


Скачать 2.13 Mb.
Название Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014
страница 1/16
Тип Документы
rykovodstvo.ru > Руководство эксплуатация > Документы
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16
Министерство обороны Российской Федерации

Министерство промышленности и энергетики Саратовской области

ОАО «Тантал», ОАО «Институт критических технологий»

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского»

Решением Президиума ВАК Министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых

рекомендуется публикация основных результатов диссертационных

исследований на соискание ученой степени доктора и кандидата наук

Гетеромагнитная

микроэлектроника
Сборник научных трудов
Выпуск 17
Гетеромагнитная микро- и наноэлектроника.

Методические аспекты физического образования.

Экономика в промышленности


Под редакцией профессора А. В. Ляшенко

Саратов

Издательство Саратовского университета

2014

УДК 621.382.029.6

ББК 548.537.611.44

Г44



Г44

Гетеромагнитная микроэлектроника : сб. науч. тр. / под ред. проф. А. В. Ляшенко. – Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2014. – Вып. 17 : Гетеромагнитная микро- и наноэлектроника. Методические аспекты физического образования. Экономика в промышленности. – 148 с. : ил.



В настоящем выпуске сборника представлены материалы по гетеромагнитной микроэлектронике, в частности по вопросам ориентации и навигации в геомагнитных полях подводных объектов, по проблемам компьютерной обработки сигналов в прикладных аспектах мостостроения, по проектированию микропроцессоров с расширенными возможностями, а также освещены проблемы подготовки бакалавров и инноваций в экономике.

Для специалистов-разработчиков, экспертов, работающих в области микро- и наноэлектроники, а также студентов, аспирантов и докторантов.

Редакционная коллегия:
А. А. Игнатьев, д-р физ.-мат. наук, проф. (отв. редактор); М. Н. Куликов, канд. физ.-мат. наук, проф. (зам. отв. редактора); Л. Л. Страхова, канд. физ.-мат. наук, доц. (отв. секретарь); С. Ю. Глазьев, д-р экон. наук, проф., акад. РАН; В. И. Борисов, д-р техн. наук, член-корр. РАН; С. А. Никитов, д-р физ.-мат. наук, проф., член-корр. РАН; О. С. Сироткин, д-р техн. наук, проф., член-корр. РАН; О. Ю. Гордашникова, д-р экон. наук, проф.; А. Н. Плотников, д-р экон. наук, проф.; Е. А. Наумов, канд. экон. наук, проф.; Л. С. Сотов, д-р. техн. наук, проф.; А. А. Солопов, канд. экон. наук; С. П. Кудрявцева, канд. техн. наук, доц.; С. В. Овчинников, канд. физ.-мат. наук, доц.; В. А. Малярчук, канд. техн. наук., доц.; А. Л. Хвалин, канд. техн. наук, доц.; Б. А. Медведев, канд. физ.-мат. наук, доц.; Л. А. Романченко, канд. техн. наук, доц.; А. С. Краснощекова, зам. нач. КБ КТ по общим вопросам (референт ОАО «Институт критических технологий»)

УДК 621.382.029.6

ББК 548.537.611.44


ISSN 1810-9594

 ОАО «Тантал», 2014


Предисловие
В настоящем выпуске сборника научных трудов «Гетеромагнитная микроэлектроника» в разделе «Теоретические и экспериментальные исследования, компьютерные технологии» представлены материалы, посвященные следующим вопросам:

  • отработка модели сферического ЖИГ-резонатора;

  • ориентация вращающихся в геомагнитном поле Земли подводных объектов;

  • автономная ориентация платформы на подвижном объекте;

  • проектирование микропроцессора на базе архитектуры OpenRisc1200;

  • минимизация утечки информации из-за побочных электромагнитных излучений компьютера;

  • компьютерный контроль процессов надвижки мостовых пролетов;

  • построение автокорреляционной функции орбит кусочно-линейного хаотического отображения.

В разделе «Экономика в промышленности» рассмотрены:

  • система венчурного инвестирования высокотехнологичных предприятий;

  • система показателей и оценки экономико-инновационного потенциала предприятия.

В разделе «Методические аспекты физического образования» приведён материал о компетентностном подходе при подготовке бакалавров по направлению «Физика».



Ответственный редактор

доктор физико-математических наук,

профессор А. А. Игнатьев

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ,

КОМПЬЮТЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

УДК 621.317.3
НЕЛИНЕЙНАЯ МОДЕЛЬ СФЕРИЧЕСКОГО ЖИГ-РЕЗОНАТОРА
А. В. Васильев, А. А. Игнатьев
Саратовский государственный университет

Россия, 410012, Саратов, Астраханская, 83

E-mail: kbkt@renet.ru
Приведена нелинейная модель сферического ЖИГ-резонатора для малых (милливаттных) уровней мощности в диапазоне частот от 0,7 до 4 ГГц.

Ключевые слова: ЖИГ-резонатор, эквивалентная схема, нелинейная модель.
Nonlinear Model of Spherical YIG-resonator
A. V. Vasiliev, A. A. Ignatiev
Given a nonlinear model of spherical YIG-resonator for small (mW) power levels in the frequency range from 0,7 to 4 GHz.

Key words: YIG-resonator, equivalent circuit, nonlinear model.
Гетеромагнитные устройства и микросистемы автогенераторного типа имеют в своем составе различные виды и топологии ферритовых резонаторов (ФР) [1], которые представляют собой сферы из монокристаллических ферритов [1], прямоугольные резонаторы из эпитаксиальных пленок ферритов [2], массивы из магнитных углеродных нанотрубок на диэлектрическом основании [3] или сфероиды из разных наноразмерных магнитных материалов [4]. В [5, 6] показан нелинейный характер поглощения входной СВЧ-мощности резонаторами на основе объемных ферритов (сферы, призмы).

В большинстве случаев при проектировании СВЧ-генератора с ЖИГ-резонатором используется линейная эквивалентная схема. Варианты такой схемы приведены в [7, 8]. Блок-схема СВЧ-генератора, в которой ЖИГ-резонатор заменен на линейную эквивалентную схему, приведена на рис. 1.

Применение в расчетах линейных эквивалентных схем сферических ФР в различных участках частотного диапазона (от УВЧ до ТВЧ) на различных уровнях мощности показало их ограниченный характер [1]. Так, расчетные значения центральной частоты генерируемого сигнала, уровень выходной мощности, ширина спектральной линии, уровень фазовых шумов, перестройка центральной частоты гетеромагнитных автогенераторов милливаттного уровня мощности на сферических ФР в диапазоне частот 1 ГГц не соответствовали экспериментальным данным.

В статье предложена нелинейная модель ЖИГ-резонатора, разработанная в среде САПР Microwave Office. Модель построена на основе экспериментально полученных характеристик ЖИГ-резонатора (уровней поглощения входного сигнала ферритовым резонатором на различных уровнях мощности от 0,1 мкВт (–40 дБм) до 200 мВт (+23 дБм) в диапазоне частот от 500 МГц до 4 ГГц).
С

Выход СВЧ

Выход СВЧ

1

2

2

1

ЖИГ-резонатор

L

R

L1

a

б

Петля связи

Рис. 1. Генератор с ЖИГ-резонатором: а – блок-схема; б – схема генератора с линейной эквивалентной схемой ЖИГ-резонатора; 1 – активный элемент с отрицательным сопротивлением; 2 – цепь согласования; L1 – индуктивность петли связи с ЖИГ-резонатором; C, R и L – емкость, активное сопротивление и индуктивность ЖИГ-резонатора соответственно
Для исследований был выбран сферический ферритовый резонатор марки 30КГ диаметром 0,8 мм, с намагниченностью насыщения 4πMS = 360 Гс и шириной ΔH = 0,3 Э линии ферромагнитного резонанса (ФМР) [9]. Резонатор размещен в центре петли связи (см. рис. 1, а), которая представляет собой один виток (диаметр 0,85 мм) медной проволоки (диаметр 0,1 мм). Виток смонтирован на плате из текстолита размером 34×19 мм и толщиной 0,5 мм. Вся конструкция смонтирована в корпусе с СВЧ-разъемами. Для измерения характеристик резонатора устройство устанавливалось в зазор электромагнита, обеспечивающего поле подмагничивания резонатора Н0 так, чтобы линии магнитной индукции лежали в плоскости витка связи (перпендикулярно монтажной плате). Блок-схема экспериментальной установки приведена на рис. 2.

Сигнал фиксированной частоты (500, 600, 700, 750, 790, 1000, 1500, 2000, 2500, 3000, 3500, 4000 МГц) подавался на исследуемый резонатор, а уровень сигнала, прошедшего через него, определялся с помощью анализатора спектра. Поле электромагнита устанавливалось так, чтобы частота ФМР совпала с частотой сигнала, подаваемого на вход резонатора. При этом снималась зависимость коэффициента передачи K резонатора от уровня входной мощности Рвх. Полученные результаты представлены на рис. 3.

1

2

3

4

5

Рис. 2. Блок-схема экспериментальной установки: 1 – генератор СВЧ-сигналов; 2 – исследуемое устройство; 3 – анализатор спектра; 4 – электромагнит; 5 – блок питания электромагнита

–30

–20

–15

–10

–5

0

K, дБ

–40

–30

–20

–10

0

10

20

Рвх, дБм

3000 МГц

4000 МГц

2000 МГц

3500 МГц

1504 МГц

1000 МГц

700 МГц

750 МГц

790 МГц

500 МГц

600 МГц

–25


Рис. 3. Зависимость коэффициента передачи К от уровня мощности входного сигнала на частоте ФМР
Аномальное поведение зависимости К(P) на частотах 500 МГц, 600 МГц и 700 МГц обусловлено, по всей видимости, ненасыщенным режимом работы ферритового резонатора (напомним, что использовался резонатор 30КГ с 4πMS = 360 Гс). Остальные зависимости K(P) носят качественно предсказуемый характер.

По полученным характеристикам (см. рис. 3) можно определить области работы ферритового резонатора в линейном (горизонтальные участки зависимости K(P)) и нелинейном режимах.

Нелинейная модель ЖИГ-резонатора рарабатывалась на частоте (998,2 МГц) близкой к 1 ГГц, исходя из практических потребностей [9].

Результаты измерения параметров ферритового резонатора 30КГ на частоте ФМР 998,2 МГц при поле подмагничивания 356,5 Э представлены на рис. 4–6.

K

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,9

1,0

0,8

f, МГц

970

990

1010

1030
Рис. 4. Зависимость коэффициента передачи ЖИГ-резонатора от частоты f входного сигнала

K

0,00

U1, В

0

0,05

0,10

0,15

0,20

0,25

0,30

0,35

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5
Рис. 5. Зависимость коэффициента передачи от подаваемого на резонатор напряжения U1. Точки – экспериментальные данные; сплошная линия – апроксимация полиномом 2-го порядка

f, МГц

986

U1, В

0

988

990

992

994

996

998

1000

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

Рис. 6. Зависимость частоты ФМР от подаваемого на резонатор напряжения U1. Точки – экспериментальные данные; сплошная линия – апроксимация полиномом 2-го порядка
В качестве модели была использована нелинейная эквивалентная схема включения ЖИГ-резонатора, показанная на рис. 7.
U1

R

Rн

Эквивалентная схема ЖИГ-резонатора

С

U2

L

L1
Рис. 7. Нелинейная эквивалентная схема включения ЖИГ-резонатора: U1 – напряжение с выхода генератора; U2 – напряжение с выхода ферритового резонатора; RН – сопротивление нагрузки (вход анализатора спектра); L1 – индуктивность петли связи резонатора с линией передачи СВЧ-мощности

Параметры элементов R, L, C ЖИГ-резонатора на рис. 7 определяются по следующим формулам [8]:




(1)


где F0 – частота ФМР, МГц; H0 – напряженность поля подмагничивания, Э; Q – добротность RLC-контура; ΔH – ширина резонансной линии ФМР, Э (для КГ30 это 0,3 Э); 4πMS – намагниченность насыщения ЖИГ-резонатора, Гс (для КГ30 это 360 Гс); γ = 2,8 МГц/Гс – гиромагнитное отношение; ω0 – циклическая частота.

Коэффициент передачи на резонансной частоте определяется по формуле


,

(2)


где Ż – полное комплексное сопротивление ЖИГ-резонатора.

В первом приближении можно считать ωL1 << R, и сопротивление параллельного RLC контура на резонансной частоте становится чисто активным, т. е. ŻR, тогда
,


.

(3)


Так как K – нелинейный параметр (см. рис.3), то и R – нелинейное сопротивление. Используя экспериментальные данные (см. рис. 4–6)
K(U) = 0,055U2 – 0,007U + 0,094
и формулу (3), получим зависимость R(U):


.

(4)

Из (4) можно получить выражение для вольт-амперной характеристики (ВАХ) сопротивления R (рис. 8):


.

(5)


I, А

U, В

1

0

2

3

4

5

6

7

8

9

1

3

2

4

5
Рис. 8. Вольт-амперная характеристика нелинейного сопротивления R в нелинейной модели ЖИГ-резонатора
Подставляем нелинейное сопротивление (3) в модель резонатора, показанную на рис. 7. В среде Microwave Office это можно сделать двумя способами: заданием ВАХ сопротивления кусочно-линейной аппроксимацией или заменой его двумя встречно-параллельными диодами (рис. 9) с такими же, как на рис. 8, характеристиками. Можно подобрать ВАХ диодов так, чтобы они совпадали с ВАХ сопротивления RLC-контура.
I

U
Рис. 9. Два диода, включенные встречно-параллельно и их вольт-амперная характеристика

Таким образом, смоделировано насыщение ЖИГ-резонатора при переходе в нелинейный режим работы на высоких уровнях мощности. Однако, как видно из рис. 6, с в нелинейном режиме работы ЖИГ-резонатора экспериментально наблюдается изменение резонансной частоты. В эквивалентной схеме ЖИГ резонатора величина изменения резонансной частоты от уровня мощности определяется индуктивностью L1 петли связи. Зависимости K(f) при разных уровнях мощности (от 20 до +20 дБм) показаны на рис. 10. Точкам минимума зависимости K(f) соответствуют значения резонансной частоты ЖИГ-резонатора. Пунктирной линией показано изменение резонансной частоты от уровня мощности, подаваемой на резонатор, которое пересчитано из зависимости f(U1) (см. рис. 6). Величина индуктивности L1 петли связи подбирается так, чтобы смещение резонансной частоты при изменении уровня входной мощности в модели совпало с экспериментально полученными данными.
K, дБ

f, ГГц

0,98

0,99

1,00

1,01

–17

0

–20 дБм

0 дБм

20 дБм
Рис. 10. Зависимость K(f) при разных уровнях мощности
Проведенный расчет в среде Microwave Office показывает, что предложенная модель для частоты 1 ГГц достаточно корректно работает в полосе ±10% с точностью методической погрешности измерений параметров ЖИГ-резонатора.

Таким образом, авторами предложена нелинейная модель ЖИГ-резонатора и приведена методика ее расчета. Однако в модели не учтена зависимость коэффициента передачи на частоте ФМР от самой частоты ФМР (от внешнего подмагничивающего поля). Не учтено также и то, что с ростом частоты увеличивается диапазон линейного режима работы ЖИГ-резонатора (растет пороговая мощность [2, 5, 10]), как это видно из рис. 3. Для учета этих эффектов необходимо вводить зависимость величины R не только от напряжения, но и от частоты (с ростом частоты сопротивление должно увеличиваться). К сожалению, в среде Microwave Office нет такой возможности. Поэтому приходится ограничиваться узкополосной моделью резонатора, что достаточно для многих практических случаев [9].

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК


  1. Игнатьев А. А., Ляшенко А. В. Гетеромагнитная микроэлектроника. Микросистемы активного типа. М. : Наука, 2007. 612 с.

  2. Игнатьев А. А., Ляшенко А. В. Магнитоэлектроника СВЧ-, КВЧ-диапазонов в пленках ферритов. М. : Наука, 2005. 877 с.

  3. Игнатьев А. А., Куликов М. Н., Васильев А. В., Митин И. В. Экспериментальные исследования возбуждения СВЧ-колебаний в магнитных углеродных нанотрубках на микрополосковых устройствах // Гетеромагнитная микроэлектроника : сб. науч. тр. Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2008. Вып. 3 : Гетеромагнитная микро- и наноэлектроника. Прикладные аспекты. С. 81–85.

  4. Глебов В. А., Глебов А. В., Сафронов Б. В., Шингарев Э. Н. Кристаллические магнитные материалы // Цветные металлы. 2011. № 1. С. 83–86.

  5. Лакс Б., Баттон К. Сверхвысокочастотные ферриты и ферримагнетики. М.: Мир, 1965. 675 с.

  6. Гуревич А. Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках. М.: Наука, 1973. 588 с.

  7. Ильченко М. Е., Кудинов Е. В. Ферритовые и диэлектрические резонаторы СВЧ. Киев : Изд-во Киев. ун-та, 1973. 175 с.

  8. Ollivier P. M. Microwave YIG-tuned transistor oscillator amplifier design : application to C band // IEEE J. of solid-state circuits. February. 1972. Vol. sc-7, № 1. Р. 54–60.

  9. Самолданов В. Н., Луконин И. С. Разработка автогенератора с ЖИГ-резонатором для датчика слабых магнитных полей // Гетеромагнитная микроэлектроника : сб. науч. тр. Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2008. Вып. 5 : Прикладные аспекты микро- и наноэлектроники. С. 35–51.

  10. Моносов Я. А. Нелинейный ферромагнитный резонанс. М.: Наука, 1971. 376 с.



УДК 519.6
Автокорреляционная функция ОРБИТ

кусочно-линейного хаотического отображения ОБЩЕГО ВИДА
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16

Похожие:

Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Прикладные аспекты. Экономика. Методические аспекты физического образования...
Гетеромагнитная микроэлектроника : сб науч тр. / под ред проф. А. В. Ляшенко. – Саратов : Изд-во Сарат ун-та, 2011. – Вып. 10 : Гетеромагнитная...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Прикладные аспекты. Экономика. Методические аспекты физического образования...
Гетеромагнитная микроэлектроника : сб науч тр. / под ред проф. А. В. Ляшенко. – Саратов : Изд-во Сарат ун-та, 2011. – Вып. 11 : Гетеромагнитная...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Выпуск 3 Гетеромагнитная микро- и наноэлектроника. Прикладные аспекты...
Гетеромагнитная микроэлектроника: Сб науч тр. / Под ред проф. А. В. Ляшенко. – Саратов: Изд-во Сарат ун-та, 2008. Вып. Гетеромагнитная...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко...
Решением Президиума вак министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Л. И. Сокиркиной издательство саратовского университета
Лингвометодические проблемы преподавания иностранных языков в высшей школе: Межвуз сб науч тр. / Под ред. Л. И. Со
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Научно-практической конференции 15 − 23 сентября 2014 года Санкт-Петербург...
Инновационная экономика и промышленная политика региона (экопром-2014) / Под ред д-ра экон наук, проф. А. В. Бабкина: Труды международной...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Аллен Астро- физические величины Переработанное и дополненное издание...
Книга профессора Лондонского университета К. У. Аллена приобрела широкую известность как удобный и весьма авторитетный справочник....
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Российской Федерации Федеральное агентство по здравоохранению и социальному развитию
Под редакцией: заслуженного деятеля науки рф, д м н., профессора Г. Г. Автандилова, д м н., профессора В. Л. Белянинова
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Исследование осуществлено при участии и под редакцией д ф. н, профессора...
Халина Н. В., Внучкова Т. Н., Пушкарева И. А., Серова Е. В., Бунчук О. М., Хребтова Т. С., Столярова Н. Н., Злобина Ю. И. Коннективистика:...
Экономика в промышленности Под редакцией профессора А. В. Ляшенко Саратов Издательство Саратовского университета 2014 icon Учебное пособие Челябинск 2018 удк: 617+616. 6](07) ббк: 54. 5+56....
Под редакцией проф. В. Н. Бордуновского – Челябинск: Издательство «пирс», 2018. – с

Руководство, инструкция по применению




При копировании материала укажите ссылку © 2024
контакты
rykovodstvo.ru
Поиск